双相40W电荷泵充电芯片
HL7139是用于单节锂离子和锂聚合物电池的低压快充芯片。该产品集成了一个双相开关电容转换器和反向阻断MOSFET(QRB FET)。在外接电容每相2x22uF，Vout=4.5V/5A时，HL7139的效率为97.4%。 开关电容转换器架构和器件中的集成FET经过优化，使得器件适合在50%的占空比运行电荷泵(CP)模式。CP模式允许输出电压(VOUT)约为输入电压(VIN)的一半，输出电流为输入电流的两倍，从而减少了输入电源线的损耗，限制了应用中的温升。双相结构减少了输入电容要求和输入电压纹波。除了CP模式，该产品还具有旁路(BP)模式。BP模式允许VIN正向通过内部功率FET到VOUT。 HL7139通过控制QRB FET提供CC(恒定电流)和CV(恒定电压)调节，以保证安全充电。CC调节是通过输入电流检测或电池电流检测的闭环控制的。CV调节是通过电池电压检测的闭环来控制的。此外，HL7139还支持热调节回路，以防CV/CC调节导致器件过热。 HL7139具有所有必要的保护措施，以确保安全运行。该器件包括OTP(过温保护)、VIN UVP/OVP、AIN OCP/UCP、VOUT OVP/UVP、VBAT OVP、IBAT OCP、PMID to VOUT OV/UV、CFLY SCP(短路保护)、VIN SCP、VOUT SCP和看门狗定时器。 除了上述所有保护措施，HL7139还具有12位ADC，可向系统提供VIN、IIN、VOUT、VBAT、IBAT、VTS、TDIE信息，以优化充电控制。
HL7139
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产品规格书
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- 商品名称: HL7139
- 产品名称: 双相40W电荷泵充电芯片
- 产品特性:
- 产品简介: HL7139是用于单节锂离子和锂聚合物电池的低压快充芯片。该产品集成了一个双相开关电容转换器和反向阻断MOSFET(QRB FET)。在外接电容每相2x22uF，Vout=4.5V/5A时，HL7139的效率为97.4%。 开关电容转换器架构和器件中的集成FET经过优化，使得器件适合在50%的占空比运行电荷泵(CP)模式。CP模式允许输出电压(VOUT)约为输入电压(VIN)的一半，输出电流为输入电流的两倍，从而减少了输入电源线的损耗，限制了应用中的温升。双相结构减少了输入电容要求和输入电压纹波。除了CP模式，该产品还具有旁路(BP)模式。BP模式允许VIN正向通过内部功率FET到VOUT。 HL7139通过控制QRB FET提供CC(恒定电流)和CV(恒定电压)调节，以保证安全充电。CC调节是通过输入电流检测或电池电流检测的闭环控制的。CV调节是通过电池电压检测的闭环来控制的。此外，HL7139还支持热调节回路，以防CV/CC调节导致器件过热。 HL7139具有所有必要的保护措施，以确保安全运行。该器件包括OTP(过温保护)、VIN UVP/OVP、AIN OCP/UCP、VOUT OVP/UVP、VBAT OVP、IBAT OCP、PMID to VOUT OV/UV、CFLY SCP(短路保护)、VIN SCP、VOUT SCP和看门狗定时器。 除了上述所有保护措施，HL7139还具有12位ADC，可向系统提供VIN、IIN、VOUT、VBAT、IBAT、VTS、TDIE信息，以优化充电控制。
HL7139是用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的低压快速直接充电IC。该器件集成了一个双相开关电容转换器和反向阻断MOSFET（QRB FET）。HL7139在4.5V输出和5A电流下的效率为97.4%，每相2x22uF。 开关电容转换器架构和器件中的集成FET经过优化，可在电荷泵（CP）模式下实现50%的占空比运行。2:1的CP模式允许输出电压（VOUT）约为输入电压（VIN）的一半，输出电流为输入电流的两倍，减少了输入电源线的损耗，限制了应用中的温升。双相结构减少了输入电容要求和输入电压纹波。除了CP模式，该器件还具有旁路（BP）模式。BP模式允许VIN正向通过内部功率FET到VOUT，无需任何转换。 HL7139通过控制QRB FET提供CC（恒定电流）和CV（恒定电压）调节，以便安全充电操作。CC调节是通过输入电流感应或电池电流感应的闭环控制的。CV调节是通过电池电压感应的闭环来控制的。此外，HL7139还支持热调节回路，以防CV/CC调节导致器件过热。 HL7139具有所有必要的保护措施，以确保安全运行。该器件包括OTP（过温保护）、VIN UVP/OVP、AIN OCP/UCP、VOUT OVP/UVP、VBAT OVP、IBAT OCP、PMID to VOUT OV/UV、CFLY SCP（短路保护）、VIN SCP、VOUT SCP和看门狗定时器。 除了上述所有保护措施，HL7139还集成12位ADC，可以向系统提供VIN、IIN、VOUT、VBAT、IBAT、VTS、TDIE信息，以优化充电控制。
- 高可靠性的AMR输入/输出引脚
- VBUS引脚支持37V AMR
- VIN引脚支持22V AMR
- VOUT、BATP支持7V AMR
- 内置外部输入NFET控制
- 宽范围的工作电压
- 3V至11.7V VIN电压
- 5.5V 最大输出运行电压
- 双重转换模式
- 2:1充电泵模式(CP模式)
- 优化50%的占空比
- 1:1旁路模式(BP模式)
- 高效率充电泵
- 使用2x22uF时,VOUT=4.5V@5A的效率为97.4%
- 使用3x22uF时,VOUT=4.5V@5A的效率为97.6%
- 通过QRB FET控制充电操作的调节回路
- 输入电流调节
- 电池电压调节
- 电池电流调节
- 热调节
- 可选择的开关频率从500kHz到1.6MHz
- 集成12位ADC(通道)
- 输入电压(VIN)
- 输入电流(IIN)
- 输出电压(VOUT)
- 电池电压(VBAT)
- 电池电流(IBAT)
- NTC温度(TS电压)
- 核心温度(TDIE)
- 多重保护层
- 芯片过温保护
- VIN过/欠电压保护
- 电压跟踪保护
- 输入过/欠电流保护
- VOUT过电压保护
- VBAT过电压保护
- IBAT过电流保护
- VOUT 短路保护
- VIN短路保护
- CFLY短路保护
- NTC保护
- 集成定制的专有协议
- 采用WLCSP-36封装,尺寸为2.65mmx 2.61mm
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