具有1:2反向增压模式的双相30W充电泵芯片


HL7132D

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HL7132D是一款低压2:1快充芯片,适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池。它集成了一个双相开关电容转换器和反向阻断MOSFET(QRB FET)。HL7132D在4.5V/5A输出,1x22μF时,效率可达97.11%。 HL7132D是一款采用开关电容转换器架构和集成FET的低压(2:1)快速直充芯片,适用于1节锂离子和锂聚合物电池。经过优化,使得器件适合在50%的占空比运行电荷泵(CP)模式。在2:1电荷泵模式,HL7132D的输出电压(VOUT)变为输入电压(VIN)的一半,输出电流(IOUT)变为输入电流(IIN)的2倍,从而降低了输入电源在充电线上的损耗,并控制了手机充电应用中的温升。双相结构减少了输入电压的纹波。 HL7132D通过控制QRB FET提供CC(恒定电流)和CV(恒定电压)调节,以便安全充电运行。CC调节是通过输入电流检测或电池电流检测的闭环控制的,CV调节是通过电池电压检测的闭环来控制的。此外,HL7132D还支持热调节回路,以防CV/CC调节导致器件过热。 HL7132D具有所有必要的保护功能,以保证安全运行,包括OTP(过温保护)、VIN UVP(输入欠压保护)/ OVP(输入过压保护)、IIN OCP(过流保护)/ UCP(欠电流保护)、VOUT OVP/UVP、VBAT OVP、IBAT OCP、PMID to VOUT OV/UV、CFLY SCP(短路保护)、VIN SCP、VOUT SCP、QRB RCP(反向电流保护)和看门狗定时器。 除了上述所有保护功能,HL7132D还具有10位ADC,可向系统提供VIN、IIN、VOUT、VBAT、IBAT、VTS、TDIE信息,以优化充电控制。

产品规格书

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  • 参数
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  • 相关产品
  • 其他信息
    • 商品名称: HL7132D
    • 产品名称: 具有1:2反向增压模式的双相30W充电泵芯片
    • 产品简介: HL7132D是一款低压2:1快充芯片,适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池。它集成了一个双相开关电容转换器和反向阻断MOSFET(QRB FET)。HL7132D在4.5V/5A输出,1x22μF时,效率可达97.11%。 HL7132D是一款采用开关电容转换器架构和集成FET的低压(2:1)快速直充芯片,适用于1节锂离子和锂聚合物电池。经过优化,使得器件适合在50%的占空比运行电荷泵(CP)模式。在2:1电荷泵模式,HL7132D的输出电压(VOUT)变为输入电压(VIN)的一半,输出电流(IOUT)变为输入电流(IIN)的2倍,从而降低了输入电源在充电线上的损耗,并控制了手机充电应用中的温升。双相结构减少了输入电压的纹波。 HL7132D通过控制QRB FET提供CC(恒定电流)和CV(恒定电压)调节,以便安全充电运行。CC调节是通过输入电流检测或电池电流检测的闭环控制的,CV调节是通过电池电压检测的闭环来控制的。此外,HL7132D还支持热调节回路,以防CV/CC调节导致器件过热。 HL7132D具有所有必要的保护功能,以保证安全运行,包括OTP(过温保护)、VIN UVP(输入欠压保护)/ OVP(输入过压保护)、IIN OCP(过流保护)/ UCP(欠电流保护)、VOUT OVP/UVP、VBAT OVP、IBAT OCP、PMID to VOUT OV/UV、CFLY SCP(短路保护)、VIN SCP、VOUT SCP、QRB RCP(反向电流保护)和看门狗定时器。 除了上述所有保护功能,HL7132D还具有10位ADC,可向系统提供VIN、IIN、VOUT、VBAT、IBAT、VTS、TDIE信息,以优化充电控制。
     
    • VIN引脚耐压(AMR)20V
    • 5.5V至11.7V输入工作电压
    • 5.5V 最大工作输出电压
    •  双相开关电容器结构

      -    优化 2:1 和 1:2 模式

    • 2:1电荷泵模式(CP模式)

      -    连续6A输出

    • 1:2 反向电荷泵模式(CP模式

      -    连续1.5A输出

    • 通过QRB FET控制充电工作的调节回路

       -    输入电流调节(IIN_REG)

       -    电池电压调节(VVBAT_REG)

       -    电池电流调节(IBAT_REG)

       -    热调节(TDIE_REG)

    • VOUT=4.5V/5A,1x22µF,fSW =700kHz时,效率可达97.11%
    • 可选择的开关频率从500kHz到1.6MHz
    • 集成10位ADC

       -    输入电压(VIN)

       -    输出电压(VOUT)

       -    电池电压(VBAT)

       -    输入电流(IIN)

       -    电池电流(IBAT)

       -    TS输入电压(VTS)

       -    芯片温度 (TDIE)

    • 保护功能

          VBAT过电压保护,2:1 CP模式 所有以下2:1和1:2 CP模式的保护

       -    芯片温度过高保护

       -    VIN过/欠电压保护

       -    电压追踪保护

       -    输入过/欠电流保护

       -    VOUT过电压保护

       -    VBAT过电压保护

       -    IBAT过电流保护

       -    VOUT 短路保护

       -    VIN短路保护

       -    CFLY 短路保护

       -    NTC保护

    • 采用WLCSP-42封装,尺寸为2.95mm x 2.6mm
    • 副标题

      • 副标题
    • 智能手机
    • 平板电脑
    • 移动物联网设备
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